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檢測內容太陽(yáng)能電池片表面檢測:
• 缺陷種類(lèi):手印、大小角(尺寸不良)、深刮痕、崩邊、邊緣缺陷、孔洞和污染
• 最大可檢測156mmx156mm wafer
• 檢測精度:0.2mm
• 像素精度55 um @ 工作距離350mm
• 檢測速度:最大3600 片/小時(shí)
• 硅片暗裂
• 硅片表面SiN膜一致性檢測
• 硅片共面度3D檢測
系統配置:
·線(xiàn)陣工業(yè)相機、高分辨率工業(yè)鏡頭、LED線(xiàn)光源、大功率光源控制器;
·工控機:> 3.0G CPU,2048M 內存,160G硬盤(pán),19” LCD顯示器等;
·機機械結構部分(包括機臺,精密傳送帶、相機等固定及微調裝置等)和電控箱(運動(dòng)控制單元、電機、傳感器等);
·應用軟件包及運行許可證及WindowsXP 運行環(huán)境+SP2。
線(xiàn)陣太陽(yáng)能硅片視覺(jué)檢測光源選型
本系統拍攝目標為太陽(yáng)能電池板表面,要求體現被測物表面手印、大小角(尺寸不良)、深刮痕、崩邊、邊緣缺陷、孔洞和污染等,為更好地表現細節,建議采用波長(cháng)較短的光源-藍色光源,并采用低角度方式照射,并由于線(xiàn)陣掃描的速度對光源的亮度有比較高的要求,可選配富愛(ài)其藍色高亮線(xiàn)陣LED光源,該光源專(zhuān)用于線(xiàn)陣項目,采用高亮LED及特殊光學(xué)設計,在均勻性、亮度及聚光性均有非常優(yōu)異的表現。另外,充分地考慮了散熱方面的要求,配合專(zhuān)用光源控制器,該光源可保證連續點(diǎn)亮3萬(wàn)個(gè)小時(shí)。由于太陽(yáng)能硅片另一常見(jiàn)缺陷如暗裂,尺寸變形等,為提高輪廓的對比度效果,及體現暗裂等缺陷,則需在另一面采用穿透力比較強的紅外線(xiàn)光源作背光用。
另外,在面陣方式進(jìn)行太陽(yáng)能電池片檢測時(shí),由于考慮到太陽(yáng)能電池片屬于大面識表面反光物體,在光源選型時(shí),通常選用回形背光源作正光,富愛(ài)其大功率大面積背光源具有高亮度,低發(fā)熱,高均勻性等特點(diǎn).是面陣太陽(yáng)能硅片檢測的首選光源,歡迎來(lái)電查詢(xún)